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J-GLOBAL ID：200903010916271612

GaN系の半導体発光素子

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058128
Publication number (International publication number)：2000261032
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【目的】 工業的に容易に入手可能な原材料を用いた結晶性のよいGaN系の半導体層を有する発光素子を提供する。【構成】 基板の上に金属窒化物層を含む下地層を形成し、その上に連続してGaN系の半導体からなる発光層を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上に形成された金属窒化物層を含む下地層と、該下地層の上に連続して形成されたGaN系の半導体からなる発光層と、を備えてなるGaN系の半導体発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 677

F-Term (50)：

4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077BE47 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA31 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041DA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125238   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平3-203388
  
• 電子デバイス用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-167686   Applicant：ティーディーケイ株式会社