Pat

J-GLOBAL ID：200903010967263622

有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置

Inventor： 海野 章
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002179468
Publication number (International publication number)：2004023021
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】ペンタセン蒸着膜の結晶状態を制御すことができ、低電圧駆動で高い移動度を有する有機半導体素子を提供する。【解決手段】基板102の表面にゲート電極101が設けられ、その上にゲート絶縁層103が設けられ、該ゲート絶縁層103の表面に表面エネルギーの低い島状突起が分散して形成されている島状突起層104が設けられ、該島状突起層104の上にソース電極106とドレイン電極107が間隔をおいて設けられ、その上に有機半導体層105が島状突起層104と両電極106,107と接して設けられ、さらに有機半導体層105の上に保護膜108が設けられている有機半導体素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜が設けられている有機半導体素子において、前記有機半導体層に接して表面エネルギーの低い島状突起が分散して形成されている島状突起層が設けられていることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (35)：

5F110AA07 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264964   Applicant：株式会社日立製作所