ダマシン配線構造およびダマシン配線を有する半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000113286
Publication number (International publication number)：2001298084
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高いダマシン配線構造またはこのようなダマシン配線構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】下層配線構造と、層間絶縁膜の上面から形成された配線用溝、および下層配線構造まで達し、配線用溝の幅よりも狭い径を有するビア孔と、ビア孔の外側の領域で、配線用溝の下面から上方に突出し、層間絶縁膜と同一材料で形成された絶縁突起パターンであって、ビア孔近傍の第1の配線用溝内領域における絶縁突起パターンの第1の面積占有率はビア孔から離れた第2の配線用溝内領域における絶縁突起パターンの第2の面積占有率より高い絶縁突起パターンと、配線用溝とビア孔とを埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線とを有するダマシン配線構造。

Claim (excerpt)：

下層配線構造と、前記下層配線構造を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面から形成された配線用溝、および前記配線用溝の内部領域の下面から前記層間絶縁膜を貫通し、前記下層配線構造まで達し、前記配線用溝の幅よりも狭い径を有するビア孔と、前記ビア孔の外側の領域で、前記配線用溝の下面から上方に突出し、前記層間絶縁膜と同一材料で形成された絶縁突起パターンであって、前記ビア孔近傍の第1の配線用溝内領域における前記絶縁突起パターンの第1の面積占有率は前記ビア孔から離れた第2の配線用溝内領域における前記絶縁突起パターンの第2の面積占有率より高い絶縁突起パターンと、前記配線用溝と前記ビア孔とを埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線とを有するダマシン配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 A

F-Term (31)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK32 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033VV04 , 5F033VV07 , 5F033WW01 , 5F033XX06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-332152
特開平2-192146
多層配線およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-231936 Applicant：ソニー株式会社