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J-GLOBAL ID：200903011146698708

結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法

Inventor： 西田 敏夫 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029825
Publication number (International publication number)：1999233391
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【目的】窒化物III-V族化合物半導体材料の作製において、再現性良く平坦な界面を形成することができるSiC結晶基板、およびこれを用いることにより、高品質の窒化物III-V族化合物半導体よりなる薄膜積層構造を実現した高性能の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】SiCよりなる結晶基板であって、SiC結晶の(0001)Si面正方位より、〔1-100〕方向、または〔11-20〕方向、もしくはこれらと等価な方向に、基板面内で7度以内の範囲、基板面に垂直な面内で0.02度ないし0.6度の範囲内で傾斜した面を有する基板を用いる。このSiC結晶基板上に、窒化物III-V族化合物半導体材料よりなる結晶薄膜を有機金属気相成長法により成長させる。

Claim (excerpt)：

SiCよりなる結晶基板であって、SiC結晶の(0001)Si面正方位より、〔1-100〕方向、または〔11-20〕方向、もしくはこれらと等価な方向に、基板面内で7度以内の範囲、基板面に垂直な面内で0.02度ないし0.6度の範囲内で傾斜した面を有することを特徴とする結晶基板。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/36 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社