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J-GLOBAL ID：200903014731789521

半導体ウェハ及びその製造方法

Inventor： 坂口 春典 ,  中園 隆一 ,  海野 恒弘 ,  隈 彰二
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336984
Publication number (International publication number)：1995201745
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】(0001)面サファイア基板の成長面を傾斜することによって、GaNエピタキシャル結晶の純度及び結晶性を大幅に向上し、かつ高濃度p型GaNをアズグロウンの状態で得る。【構成】サファイア単結晶基板の(0001)面を<21* 1* 0>方向もしくは<011* 0>方向に数度傾けて鏡面研磨することにより、微傾斜(0001)面サファイア単結晶基板4とする。微傾斜(0001)面5には多くのステップ6が存在する。このためステップ端を基点としたGaNエピタキシャル結晶2のステップフローモード成長が容易に実現する。その結果、結晶欠陥が大幅に低減する。

Claim (excerpt)：

(0001)面を<21* 1* 0>(以下、1* は上にバーの付いた1を意味する。)方向もしくは<011* 0>方向に微傾斜した鏡面を有するサファイア結晶基板の微傾斜(0001)面上に、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、またはこれらの混晶のp型、n型、またはi型薄膜の単層もしくは多層の結晶が積層されている半導体ウェハ。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系発光素子および製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077251   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭56-160084