半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001192439
Publication number (International publication number)：2003008147
Application date： Jun. 26, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】コンタクト層とクラッド層の界面におけるバンド不連続を低減するために中間バンドギャップ層を挿入したレーザ素子構造において、製造工程での熱履歴を受けても、所望の不純物濃度を確保し、動作電圧の低い半導体レーザ素子を提供する。【構成】活性層を第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層とで挟んだ発光用積層部と、前記第2導電型クラッド層の上に形成された第2導電型のコンタクト層とを有し、前記第2導電型クラッド層と前記コンタクト層との間に、第2導電型の中間バンドギャップ層を有する半導体レーザ素子において、前記コンタクト層は少なくとも3つの不純物濃度が互いに異なる層からなることを特徴とする半導体レーザ素子。

Claim (excerpt)：

活性層を第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層とで挟んだ発光用積層部と、前記第2導電型クラッド層の上に形成された第2導電型コンタクト層とを有し、前記第2導電型クラッド層と前記コンタクト層との間に、第2導電型中間バンドギャップ層を有する半導体レーザ素子において、前記コンタクト層は少なくとも不純物濃度が互いに異なる3つの層からなることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01S 5/223

FI (2)：

H01S 5/323 , H01S 5/223

F-Term (10)：

5F073AA09 , 5F073AA11 , 5F073AA22 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073DA06 , 5F073DA11 , 5F073EA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-060503 Applicant：日本電気株式会社

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