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J-GLOBAL ID：200903038533998561

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
藤井 宏明

About 藤井 宏明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000060503
Publication number (International publication number)：2001251010
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】金属電極とオーミック接触を形成するp型キャップ層の面積が小さい半導体レーザにおいて、オーミック抵抗を低減しつつ、p型キャップ層からp型キャップ層下のp型ヘテロバッファ層への、過剰なZn拡散を抑制し、電流-電圧特性の悪化を防止する。【解決手段】p型キャップ層を異なる不純物濃度を有する複数の層で構成し、金属電極に接触するp型キャップ層のp型不純物濃度を、オーミック抵抗を低減するのに十分な高濃度にし、p型ヘテロバッファ層に接触するp型キャップ層のp型不純物濃度を、p型ヘテロバッファ層への過剰なZn拡散を抑制するのに十分な低濃度にすることで、オーミック抵抗を小さく維持しつつ、電流-電圧特性の悪化を防止する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、少なくとも、n型クラッド層、前記クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが小さい活性層、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいp型クラッド層、p型ヘテロバッファ層、p型キャップ層を含むダブルヘテロ構造を有し、少なくとも前記p型クラッド層の一部および前記p型キャップ層がメサストライプ状に形成された半導体レーザにおいて、前記p型キャップ層が異なるドーピング濃度を有する複数の層で構成され、前記複数の層の最上層にあって金属電極に接するp型キャップ層のp型不純物濃度を、金属電極と低抵抗のオーミック接触が形成でき、且つ、p型キャップ層の結晶性を損なわない高い濃度にし、前記複数の層の最下層にあって前記p型ヘテロバッファ層に接したp型キャップ層のp型不純物濃度を、前記p型ヘテロバッファ層の固溶限を越えてp型不純物が前記p型ヘテロバッファ層に拡散しない低濃度にしたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 5/042 610 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/042 610 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
F-Term (14)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA14 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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