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J-GLOBAL ID：200903011195047801

半導体基板保持装置及びその製造方法

Inventor： 塩田 武 ,  佐藤 孔俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993281375
Publication number (International publication number)：1995135161
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】静電気によるごみの付着をより完全に防止でき、かつ緻密で強度特性に優れた微細加工可能な半導体装置保持装置を提供する。【構成】環状凸部により半導体基板を保持する半導体基板保持装置において、少なくとも上記半導体基板と接触する部分を、炭化物換算で30重量%以上50重量%以下のTiと、酸化物換算で0.1重量%以上3.0重量%以下のY,Yb,Ceのうちの少なくとも1種とを含有するアルミナ(Al2 O3 )焼結体で形成したことを特徴とする。上記構成により、環状凸部の上面幅が0.20mm以下と小さくても焼結体にカケ、脱粒の極めて少ない優れた微細加工を行なうことができる。

Claim (excerpt)：

環状凸部により半導体基板を保持する半導体基板保持装置において、少なくとも上記半導体基板と接触する部分を、炭化物換算で30重量%以上50重量%以下のTiと、酸化物換算で0.1重量%以上3.0重量%以下のY,Yb,Ceのうちの少なくとも1種とを含有するアルミナ(Al2 O3 )焼結体で形成したことを特徴とする半導体基板保持装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 保持装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-199801   Applicant：株式会社ニコン