半導体結晶の形成方法及び半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993086835
Publication number (International publication number)：1994168876
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】簡単な方法で、何ら複雑な構造を基体あるいは半導体薄膜に形成することなく、容易に大粒径の半導体結晶を形成する方法及びかかる形成方法に基づいた半導体素子を提供する。【構成】半導体結晶20の形成方法は、(イ)基体上10に、基体と異なる材料から成り且つ縁部分14を有する半導体薄膜12を形成する工程と、(ロ)縁部分を含む半導体薄膜にエネルギーを短時間照射して、縁部分を含む半導体薄膜を完全に溶融させた後、固化させて結晶化する工程、から成る。このような方法によって形成された半導体結晶から作製された半導体素子は、この半導体素子を構成する結晶中に結晶粒界が存在しない、あるいは又、半導体素子を構成する結晶の粒径が0.2μm以上10μm以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(イ)基体上に、基体と異なる材料から成り且つ縁部分を有する半導体薄膜を形成する工程と、(ロ)縁部分を含む半導体薄膜にエネルギーを短時間照射して、該縁部分を含む半導体薄膜を完全に溶融させた後、固化させて結晶化する工程、から成ることを特徴とする半導体結晶の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開昭58-037918
特開昭61-185917
特開昭60-014424

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Cited by examiner (35)

特開昭58-037918
特開昭58-037918
特開昭61-185917

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