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J-GLOBAL ID：200903011248227726
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330274
Publication number (International publication number)：1995193313
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 素子抵抗を低減してジュール熱の発生を抑え、かつ、無秩序結晶の採用により発光効率を改善し、高出力動作におけるジュール発熱の発生を抑制する。【構成】 ストライプ状リッジを[1,1,0]方位に形成する。リッジ形状は上辺が下辺よりも長い台形である。さらに、活性層に無秩序AlGaInP5を用いる。
Claim (excerpt)：
第1伝導型のGaAs基板上に順次形成された第1伝導型のAlGaInPクラッド層と活性層と第2伝導型のAlGaInPクラッド層を少なくとも含む多層エピタキシャル層とストライプ状のリッジと一対のレーザ端面を備え、該活性層が無秩序状態のAlGaInPからなり、該ストライプ状リッジが[1,1,0]方位に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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