半導体光触媒含有球状シリカゲル体および製造方法並びに塗料組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999283680
Publication number (International publication number)：2001104799
Application date： Oct. 05, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】光触媒活性が高く、透明性も良好でかつ、分散性が良好な半導体光触媒含有球状シリカゲル体を提供する。【解決手段】光触媒の含有量:30〜60重量%、平均細孔直径:12nm以下、細孔直径20nm以下の細孔:全細孔容積の95%以上、分光透過率:波長320nmで15%以下、500nmで50%以上のシリカゲル体とする。

Claim (excerpt)：

シリカゲルをマトリックスとし、当該マトリックス中に半導体光触媒が分散した半導体光触媒含有球状シリカゲル体であって、(1) 当該シリカゲル体中の半導体光触媒の含有量が、SiO2 と半導体光触媒の合計量に対して20〜60重量%であり、(2)窒素吸着法で測定した平均細孔直径が、12nm以下、細孔直径20nm以下の細孔が、全細孔容積の95%以上であり、かつ、(3)当該シリカゲル体2.5gを、流動パラフィン3gおよび白色ワセリン7gと混合し、3本ロールを用いて分散させた後、石英板に挟んで厚みを20μmに調整したときの分光透過率が、波長320nmにおいて、15%以下、かつ500nmにおいて、50%以上であることを特徴とするシリカゲル体。

IPC (5)：

B01J 35/02 ZAB , B01J 21/06 , B01J 23/04 , B01J 32/00 , C01B 33/152

FI (5)：

B01J 35/02 ZAB J , B01J 21/06 A , B01J 23/04 A , B01J 32/00 , C01B 33/152 A

F-Term (25)：

4G069AA08 , 4G069BA02A , 4G069BA02B , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA05B , 4G069BA15B , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069EA04X , 4G069EC11X , 4G069EC11Y , 4G069EC12X , 4G069EC12Y , 4G069EC13X , 4G069EC13Y , 4G069FB09 , 4G072BB07 , 4G072CC10 , 4G072EE03 , 4G072GG03 , 4G072PP05 , 4G072UU15 , 4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

光触媒微粒子含有中実多孔質シリカ粒子とその使用方法、および光触媒含有高分子固体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-194391 Applicant：ライオン株式会社
酸化チタン多孔質薄膜光触媒及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-341563 Applicant：工業技術院長
光触媒体、光源および照明器具
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-328081 Applicant：東芝ライテック株式会社, 日本道路公団

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