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J-GLOBAL ID:200903011257174899

多孔性強塩基性アニオン交換体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997047715
Publication number (International publication number):1998245417
Application date: Mar. 03, 1997
Publication date: Sep. 14, 1998
Summary:
【要約】【課題】 新規な、耐熱性に優れた多孔性強塩基性アニオン交換体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)で表される4級アンモニウム塩基を有する構造単位及び不飽和炭化水素基含有架橋性モノマーから誘導される構造単位を含有し、比表面積が0.01〜20m2 /gであることを特徴とする多孔性強塩基性アニオン交換体。【化1】(一般式(I)中、Aは炭素数3〜8の直鎖状アルキレン基又は炭素数4〜9のアルコキシメチレン基を表し、R1 は水酸基で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基、R2 及びR3 は炭素数1〜4の炭化水素基、X- はアンモニウム基に配位した対イオンを表し、また、ベンゼン環はアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。)
Claim (excerpt):
下記一般式(I)で表される4級アンモニウム塩基を有する構造単位及び不飽和炭化水素基含有架橋性モノマーから誘導される構造単位を含有し、比表面積が0.01〜20m2 /gであることを特徴とする多孔性強塩基性アニオン交換体。【化1】(一般式(I)中、Aは炭素数3〜8の直鎖状アルキレン基又は炭素数4〜9のアルコキシメチレン基を表し、R1 は水酸基で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基、R2 及びR3 は炭素数1〜4の炭化水素基、X- はアンモニウム基に配位した対イオンを表し、また、ベンゼン環はアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。)
IPC (6):
C08F 8/30 ,  B01J 41/14 ,  C08F 2/44 ,  C08F212/14 ,  C08F212:36 ,  C08F220:26
FI (4):
C08F 8/30 ,  B01J 41/14 ,  C08F 2/44 C ,  C08F212/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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