半導体素子の基準電圧発生回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160228
Publication number (International publication number)：1997006449
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】基板電圧の変動及び温度変化に関係なく一定の基準電圧を発生させ、n形ウェルCMOS標準工程で製造できる半導体素子の基準電圧発生回路を提供すること。【解決手段】基板電圧Vbbの変化、それに伴う第3NMOSトランジスタM44のしきい値電圧の変化を第2ノードn42の電圧変化から感知して、そのとき生じる第3PMOSトランジスタM61(電流-電圧変換部)の電流変化を相殺する第4NMOSトランジスタM51(基板電圧変動センサ部50)を設ける。加えて、第4PMOSトランジスタM62からなる温度補償部を出力ノードn61に接続する。

Claim (excerpt)：

供給電圧Vddの印加を受けて最初に基準電流を発生させた後、この基準電流を基準電圧Vref に変換して出力端子を通って出力する半導体素子の基準電圧発生回路において、リセット端子に接続され、回路の動作点を決定する駆動信号を発生させるスタートアップ回路部と、前記スタートアップ回路部から駆動信号の印加を受けて基準電流を発生させる定電流源としてのカレントミラー及び前記基準電流値を決定する電圧分割部からなる基準電流発生部と、前記基準電流発生部から発生した前記基準電流の基板電圧Vbbの変動による変動を補償するために、前記出力端子に接続された基板電圧変動センサ部と、前記基準電流発生部のカレントミラーと一緒に駆動され、基準電流を基準電圧に変換して出力端子に出力する電流-電圧変換部及び前記出力端子に接続され、温度の変化による基準電圧の変動を補償する温度補償部とを含んでなることを特徴とする半導体素子の基準電圧発生回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

基準電圧発生回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-215535 Applicant：富士通株式会社
電流源スタート回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-299503 Applicant：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
基準電圧発生回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-308590 Applicant：松下電子工業株式会社

Show all

Return to Previous Page