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J-GLOBAL ID：200903011277322479

光制御デバイス

Inventor： 西本 裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994309707
Publication number (International publication number)：1996146367
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 温度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗に与えられていた制限を無くすとともに、温度ドリフト及びCDドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得られる光制御デバイスを提供する。【構成】 LiNbO3基板(1)の表面に形成された2本のチャネル型光導波路(2a)(2b)からなる光回路(5)と、光導波路(2a)(2b)の上にバッファ層(3)を介して電極(4a)(4b)が形成されている。また、電極(4a)(4b)の近傍に導体膜(6)が形成されている。導体膜(6)は電極(4a)(4b)間を導通させておらず、電極(4a)(4b)の近傍で絶縁されている部分(7)がある。

Claim (excerpt)：

焦電効果を有する基板表面に形成された光導波路と前記光導波路の近傍に形成された少なくとも1対の電極と少なくとも前記基板と前記電極の間に形成された膜体と前記少なくとも1対の電極の近傍を覆う前記膜体より導電性の大きい導体膜とからなる光制御デバイスにおいて、前記導体膜が前記少なくとも1対の電極のそれぞれの電極間の複数箇所で絶縁されている構造を特徴とする光制御デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-253815
  
• 特開昭56-165122
  
• 光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-098661   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平4-195115