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J-GLOBAL ID：200903011283240794

磁場刺激装置及びその磁場刺激装置を用いた生体細胞若しくは生体組織の成長促進又は抑制方法

Inventor：
徳冨 直史

About 徳冨 直史


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 科学技術振興機構

About 独立行政法人 科学技術振興機構


Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004014108
Publication number (International publication number)：2004290180
Application date： Jan. 22, 2004
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】 生体細胞等の成長過程において、長期に亘り生体細胞等に電気刺激を与えても、培養溶液の液性変化や細胞の定着度が低下することのない磁場刺激装置、該磁場刺激装置を用いた生体細胞等の成長を促進又は抑制方法、及び生体細胞等の変性疾患モデルの作成方法の提供。【解決手段】 パルス電流を発生させ、かつパルス電流の電流特性を調整するためのパルス電流供給手段と、前記パルス電流供給手段より供給されたパルス電流からパルス磁場を発生させ、該パルス磁場を培養容器の外部から前記培養容器内の生体細胞又は生体組織に供給するためのパルス磁場供給手段とを有する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
パルス電流を発生させ、かつパルス電流の電流特性を調整するためのパルス電流供給手段と、前記パルス電流供給手段より供給されたパルス電流からパルス磁場を発生させ、該パルス磁場を培養容器の外部から前記培養容器内の生体細胞又は生体組織に供給するためのパルス磁場供給手段とを有することを特徴とする磁場刺激装置。
IPC (3)：
C12M1/42 ,  C12N5/06 ,  C12N13/00
FI (3)：
C12M1/42 ,  C12N13/00 ,  C12N5/00 E
F-Term (19)：
4B029AA27 ,  4B029BB11 ,  4B029CC02 ,  4B029CC08 ,  4B029DF10 ,  4B029DG10 ,  4B029FA15 ,  4B033NA16 ,  4B033NF10 ,  4B033NH04 ,  4B033NH05 ,  4B033NH10 ,  4B033NJ02 ,  4B033NK10 ,  4B065AA90X ,  4B065BC01 ,  4B065BD13 ,  4B065CA46 ,  4B065CA60
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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