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J-GLOBAL ID：200903011306954595

多層配線基板

Inventor： 飯野 祐二
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161288
Publication number (International publication number)：1999008472
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】金属粉末が充填されたバイアホール導体を具備する多層配線基板において、バイアホール導体を低抵抗化しつつ、導体配線層との接続信頼性に優れた多層配線基板を提供する。【解決手段】有機樹脂を含有する複数の絶縁層1と、絶縁層1の表面あるいは絶縁層間に配設された複数の導体配線層3と、配線層3間を接続するために設けられ、少なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール導体4とを具備する多層配線基板において、導体配線層3のバイアホール導体4との接続部に、バイアホール導体4内に突出する突起部5を形成する。

Claim (excerpt)：

有機樹脂を含有する複数の絶縁層と、該絶縁層の表面あるいは絶縁層間に配設された複数の導体配線層と、該導体配線層間を接続するために設けられ、少なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール導体とを具備する多層配線基板において、前記導体配線層の前記バイアホール導体との接続部に、前記バイアホール導体内に突出する突起部を形成したことを特徴とする多層配線基板。

IPC (2)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/40

FI (3)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/40 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多層回路の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-027816   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-263486