静電吸着ステージ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995075118
Publication number (International publication number)：1996274150
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】静電吸着ステージにおいて、複雑な機構を設けることなくウェハ1が離脱し易く搬送アームに円滑に移載されるようにする。【構成】ウェハ1の載置面4eを膨らむように曲率をもたせて形成してウェハ1の周辺部に隙間1aをもたせ、さらに、ウェハ1の周辺部を吸着する誘電膜4dの吸着力を中央部の誘電膜4cのものより弱めることにより、電荷をディスチャージしウェハ1を載置面からリフトピン2の突き上げにより引離すとき、ウェハ1の周辺部から徐々に中心部に向って載置面から引き剥すようにしている。

Claim (excerpt)：

円板状の半導体ウェハの載置面に誘電膜が形成される板状の高電気抵抗体と、この高電気抵抗体の該載置面から前記半導体ウェハを突き上げる複数のリフトピンとを備える静電吸着ステージにおいて、前記半導体ウェハの外周辺部の裏面と前記載置面との間に隙間があるように該載置面が上に膨らむような曲率をもつことを特徴とする静電吸着ステージ。

IPC (4)：

H01L 21/68 , H01L 21/3065 , H02N 13/00 , B23Q 3/15

FI (4)：

H01L 21/68 R , H02N 13/00 D , B23Q 3/15 D , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

静電チヤツク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-305346 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288014 Applicant：東京エレクトロン株式会社
ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-322732 Applicant：新日本製鐵株式会社

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