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J-GLOBAL ID:200903011352012022
電力変換器におけるゲート駆動回路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松崎 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997032224
Publication number (International publication number):1998150764
Application date: Feb. 17, 1997
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】 電圧駆動形スイッチング素子からなる電力変換器で、スナバ回路を不要とし低ノイズ化を図る。【解決手段】 素子のスイッチング時に、例えば図1の回路により電流変化率(di/dt)を検出し、これが所定値以上(以下)になったとき、スイッチング特性に影響を及ぼす回路条件を、スイッチング時の電流,電圧変化率等を低減するように変更することにより、スナバ回路を不要にし低ノイズ化を図る。上記回路条件としては、ゲート抵抗,ゲート駆動回路電源電圧,ゲート電流,ゲート・エミッタ間容量,ゲート・コレクタ間容量などがある。また、素子のターンオフ時のdi/dtを検出し、その大きさに応じて素子のゲート・エミッタ間電圧を制御する例もある。
Claim (excerpt):
IGBTを含む電圧駆動形スイッチングデバイスのゲート駆動回路に、前記スイッチングデバイスに関する物理量を検出する検出手段と、ゲート条件を変更する操作手段とを設け、スイッチングデバイスのターンオン時に、前記検出手段の出力が所定値以上または以下になったときは、前記操作手段によりゲート条件を瞬時に変更することを特徴とする電力変換器におけるゲート駆動回路。
IPC (2):
H02M 1/08 301
, H02M 1/08 351
FI (2):
H02M 1/08 301 A
, H02M 1/08 351 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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IGBTの過電流保護装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-135592
Applicant:株式会社日立製作所
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絶縁ゲート素子の駆動回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-253342
Applicant:富士電機株式会社
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特開平4-079758
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自己消弧形半導体素子の駆動回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-185676
Applicant:富士電機株式会社
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