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J-GLOBAL ID：200903011399613873

成膜前処理方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 鈴木 摂 ,  青木 淳一 ,  前田 和夫
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319868
Publication number (International publication number)：1998163195
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線層等が形成された被堆積基板上に熱CVD法によりシリコン含有絶縁膜等を形成する際の成膜前処理方法に関し、成膜する前の被堆積基板表面が著しく汚染されているときでも、被堆積基板表面をより清浄にして、表面汚染による成膜の際の表面依存性を抑制する。【解決手段】被堆積基板101上に絶縁膜を堆積する前に、ガス状のH2 Oをプラズマ化し、該プラズマに被堆積基板101の表面を曝す。

Claim (excerpt)：

被堆積基板上に絶縁膜を堆積する前に、ガス状のH2 Oをプラズマ化し、該プラズマに前記被堆積基板の表面を曝すことを特徴とする成膜前処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-013998   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開昭58-042239
  
• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028925   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-176491   Applicant：ソニー株式会社