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J-GLOBAL ID：200903011401681369

一軸磁気異方性膜

Inventor： 大沼 繁弘 ,  三谷 誠司 ,  藤森 啓安 ,  増本 健
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267628
Publication number (International publication number)：1997082522
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】本発明は、適度な大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有した、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、一般式(Co1-aFea)<SB>100-X-Y</SB>M<SB>X</SB>O<SB>Y</SB>で示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、<SB>X</SB>および<SB>Y</SB>は原子%で8<<SB>X</SB><12,27<<SB>Y</SB><37で、且つ 36<x+y<48である組成と少量の不純物(at.%)からなり、異方性磁界が50Oe以上100Oe以下で、飽和磁束密度が8kG以上で、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下であることを特徴とする一軸磁気異方性膜に関するものである。

Claim (excerpt)：

一般式(Co1-aFea)<SB>100-X-Y</SB>M<SB>X</SB>O<SB>Y</SB>で示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、<SB>X</SB>および<SB>Y</SB>は原子%で8<<SB>X</SB><12,27<<SB>Y</SB><37で、且つ36<x+y<48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100 Oe以下、電気比抵抗値300μΩcm以上1500μΩcm以下および飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性膜。

IPC (3)：

H01F 10/16 ,  C22C 45/04 ,  H01F 19/00

FI (3)：

H01F 10/16 ,  C22C 45/04 D ,  H01F 19/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-062806
  
• 磁性薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224438   Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-166406   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 宮崎照宣
• 特開平4-062806
  
• 特開平4-062806