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J-GLOBAL ID：200903011499314989

単結晶の製造方法

Inventor： 杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  谷 俊彦 ,  木藤 泰男
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267722
Publication number (International publication number)：1997087086
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Mar. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高品質な単結晶を効率よく製造することのできる方法を提供する。【解決手段】 製造しようとする単結晶の原料のガスを種結晶に供給し、種結晶1上に単結晶2を成長させる方法において、種結晶1として、結晶のc軸と単結晶成長面11となる露出端面の法線ベクトル3とのなす角度θが20°≦θ≦55°の範囲にある結晶を用いることで、欠陥が少ない高品質な結晶を大きな体積で得ることができる。

Claim (excerpt)：

製造しようとする単結晶の原料のガスを種結晶に供給し、種結晶上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、上記種結晶として、結晶のc軸と単結晶成長面となる露出端面の法線ベクトルとのなす角度θが、20°≦θ≦55°の範囲にある結晶を用いることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 23/00 ,  H01L 21/20

FI (2)：

C30B 23/00 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-056036   Applicant：新日本製鐵株式会社