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J-GLOBAL ID：200903011541275352

酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法

Inventor：
柳田 敏治

About 柳田 敏治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062417
Publication number (International publication number)：1997260350
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 SiO2 やSiOF等の酸化シリコン系絶縁膜の高選択比、低ダメージ、実用的なエッチングレートならびに低パーティクルレベル等を共に達成しうるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 フッ化炭素系ガスと、NH3 やN2 H4 を含む混合ガスを用い、半導体基板1上の酸化シリコン系絶縁膜3にコンタクトホール5を開口する。混合ガスの流量比を変更し、2段階エッチングとしてもよい。さらに、イオウの堆積を併用してもよい。【効果】 被エッチング基板上に堆積するフッ化炭素系ポリマの膜質を強化して対レジストマスク4や対半導体基板1との選択比を向上する。また堆積するCF系ポリマ量を低減できるので、パーティクルレベルも低下する。
Claim (excerpt)：
NおよびHを構成元素として含むガスと、CおよびFを構成元素として含むガス、とを含む混合ガスを用い、下地材料層上の酸化シリコン系絶縁膜をパターニングすることを特徴とする酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (3)
  • 特開平3-276626
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320029   Applicant：富士通株式会社
  • 特開昭54-055174

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