量子箱の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993099212
Publication number (International publication number)：1994310428
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】製造が容易であり、サイズの小さな量子箱の製造方法を提供する。【構成】 GaAs半導体基板13上にZnS0.05Se0.95バッファー層を結晶成長した後、膜厚8nm のZn0.75Cd0.25S0.05Se0.95ウエル層12と膜厚20nmのZnS0.05Se0.95バリア層11を交互に10層ずつ成長させ、成長後の薄膜の上部に金の金属微粒子13をスパッタリングにより付着させ、次いで、金属微粒子13をマスクとして薄膜を水素ガスで希釈したエタンガスを用いた反応性イオンエッチングにより前記多層薄膜をエッチングして量子箱を製造する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にバリア層-ウエル層-バリア層の各層をエピタキシャル結晶成長して薄膜を形成する工程と、成長後の薄膜の上部に金属微粒子を付着させる工程と、前記金属微粒子をマスクとして前記薄膜をエッチングする工程とを備えたことを特徴とする量子箱の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/302 , H01L 33/00 , H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-084787
金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-236487 Applicant：富士通株式会社
パターン形式方法および薄膜磁気ヘツド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-154365 Applicant：株式会社日立製作所

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