プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215172
Publication number (International publication number)：1998041284
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】複数の異方性セグメント磁石で構成したダイポールリング磁石を備えた装置の磁場漏れを遠近に渡って防止する。【解決手段】処理容器3の外周に配置するダイポールリング磁石41の外周に磁性体からなるシールドリング45を配置する。シールドリング45の外周に、カウンター磁石61を設ける。近接した場所への磁場漏れはシールドリング45によって防止され、遠方へと漏洩する磁場は、カウンター磁石61によって形成される磁場でキャンセルされる。

Claim (excerpt)：

処理容器内に処理ガスを導入すると共に、この処理ガスをプラズマ化して処理容器内の被処理基板に対して所定の処理を行う装置であって、複数の異方性セグメント磁石を処理容器の外周に環状に配置したダイポールリング磁石を備えたプラズマ処理装置において、前記ダイポールリング磁石の側面に磁性体を配置すると共に、この磁性体に、さらに磁場漏洩防止用の磁界発生手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062034 Applicant：東京エレクトロン株式会社
マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351139 Applicant：信越化学工業株式会社
特開昭63-276226

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062034 Applicant：東京エレクトロン株式会社
マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351139 Applicant：信越化学工業株式会社
特開昭63-276226

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