Pat
J-GLOBAL ID：200903011601345240

半導体基板の熱処理方法

Inventor：
足立 尚志

About 足立 尚志


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061903
Publication number (International publication number)：1996236467
Application date： Feb. 24, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高温熱処理を施す種々の半導体基板の製造方法において生じる重金属汚染の大幅な低減を可能にし、半導体素子の特性及び製造歩留を向上させた半導体基板の熱処理方法の提供。【構成】 半導体基板を熱処理する石英反応管の内面をOH基濃度120ppm以上の合成石英、外面をOH基濃度80ppm以下の天然結晶質石英あるいは溶融石英の2層構造とし、高温下での耐久性を持たせ、かつ熱処理後の半導体基板の汚染を低減することを可能にし、900°C〜1300°Cでの熱処理、特に、1100°C以上のエッチング能を有する水素ガス含有雰囲気での熱処理時に、鉄等の重金属汚染を大幅に防止することができる。
Claim (excerpt)：
内面を合成石英、外面を天然結晶質石英あるいは溶融石英にて構成した石英反応管内で、半導体基板を900°C〜1300°Cで熱処理することを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/22 501 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324
FI (3)：
H01L 21/22 501 M ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平3-003323
  • 特開平3-084922
  • 半導体装置製造用の石英製装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060342   Applicant：富士通株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM