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J-GLOBAL ID：200903011623444080

半導体放射線検出器の製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫 ,  高村 秀人
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994144122
Publication number (International publication number)：1995335927
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】アノード電極での正孔に対する電気的障壁を高めることによる低い暗電流が安定に得られる電極形成方法を提供する。【構成】II-VI族化合物半導体1の表面に電極2を設ける半導体放射線検出器4の製造方法において、前記電極2を形成する前記表面をエッチングにより浄化した後、熱処理し、その後に前記電極2を形成するものである。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体の表面に電極を設ける半導体放射線検出器の製造方法において、前記電極を形成する前記表面をエッチングにより浄化した後、熱処理し、その後に前記電極を形成することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 放射線検出素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044811   Applicant：住友金属鉱山株式会社