Pat
J-GLOBAL ID：200903011626651469
薄膜トランジスタとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992108031
Publication number (International publication number)：1993166837
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】ION/IOFF 比の大きな特性をもつ薄膜トランジスタを提供する。【構成】タンタルより構成されるゲート電極105を形成し、ゲート電極105をマスクとし、ゲート絶縁膜107を通して半導体層103、104へリンイオン打込み、自己整合的にソース領域、ドレイン領域を構成した後、ゲート電極105を陽極酸化法により150〜250Vの電圧で陽極酸化し、100〜200μmのオフセット量△Lを設ける。【効果】陽極酸化法により、大面積にわたり正確にオフセット量△Lを制御でき、ION/IOFF 比の大きな薄膜トランジスタを実現できる。
Claim (excerpt)：
少なくとも半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極で構成された薄膜トランジスタにおいて、該ゲート電極の表面が絶縁物で覆われ、ドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した半導体層と該ゲート電極が、該絶縁物の厚さと等しいかあるいは小さい距離を隔てて構成された事を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
