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J-GLOBAL ID：200903011644083303

プラズマ処理方法

Inventor：
後醍院 弘典

About 後醍院 弘典

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桜井 直樹

About 桜井 直樹

, 
樋口 文彦

About 樋口 文彦


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188263
Publication number (International publication number)：2000012531
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 Cl2でSi膜層をエッチングするプロセスで,迅速にプラズマを安定させることが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室104内に配置された下部電極106上にウェハWを載置し,所定流量のCl2を処理室104内に導入する。処理室104内圧力は,排気量の調整により初期圧力値に設定される。初期圧力値は,Cl2の流量に応じて,被覆率(SiO2膜層の面積/Si膜層の面積)が異なるウェハWに処理を施し,プラズマ生成前後の処理室104内の圧力差を求め,それら被覆率と圧力差から求められた値を処理圧力値に加算して求める。処理室104内圧力が初期圧力値に達した後,下部電極104に高周波電力を印加してプラズマを生成すれば,プラズマ生成後に低下した圧力と処理圧力とが実質的に同一になり,安定したプラズマが生成される。
Claim (excerpt)：
処理室内に少なくともCl2を含む処理ガスを導入した後,前記処理室内にプラズマを生成し,前記プラズマにより前記処理室内に配置された被処理体に形成されたSi膜層にエッチング処理を施すプラズマ処理方法において,前記処理室内の圧力を,プラズマ生成後の処理圧力よりも相対的に高い初期圧力値に上昇させた後に,プラズマを生成することを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 A
F-Term (21)：
4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB15 ,  4K057DB20 ,  4K057DE01 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DM18 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA07 ,  5F004CA09 ,  5F004DA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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