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J-GLOBAL ID：200903011675775190

親水性高分子修飾カーボンナノチューブ膜

Inventor： 平田 光男 ,  藤井 孝宣 ,  小川 紀子
Applicant, Patent owner： 学校法人日本大学
Agent (11)： 特許業務法人アルガ特許事務所 ,  有賀 三幸 ,  高野 登志雄 ,  中嶋 俊夫 ,  村田 正樹 ,  山本 博人 ,  的場 ひろみ ,  守屋 嘉高 ,  大野 詩木 ,  松田 政広 ,  野中 信宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006317225
Publication number (International publication number)：2008127675
Application date： Nov. 24, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

【課題】半導体材料として使用可能な膜厚を有するカーボンナノチューブ膜を形成する方法及び当該カーボンナノチューブ膜を提供する。【解決手段】カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。

IPC (3)：

C25D 13/02 ,  C01B 31/02 ,  B82B 3/00

FI (3)：

C25D13/02 Z ,  C01B31/02 101F ,  B82B3/00

F-Term (13)：

4G146AA11 ,  4G146AA15 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03B ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BC18 ,  4G146CB22 ,  4G146CB23 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ナノ構造材料のための堆積方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-573718   Applicant：ザユニバーシティオブノースカロライナアットチャペルヒル, シンテック,インコーポレイテッド