半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236483
Publication number (International publication number)：1996102549
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】透光性基板を用いた半導体発光素子において透光性基板の裏面などから光が無駄に出射されるようなことを反射器を用いることなく解消し、または減少させるようにし、もって半導体発光素子から発せられる光に一定の方向性をもたせ、発光輝度を高める。【構成】透光性基板2の表面上に、n型半導体層3、発光層4、およびp型半導体層5から構成される積層部6が形成されている半導体発光素子であって、少なくとも上記透光性基板2の裏面2aまたは各側面2bには、上記発光層4から発せられて透光性基板2を透過してくる光を反射させるための光反射膜7が形成されている。

Claim (excerpt)：

透光性基板の表面上に、n型半導体層、発光層、およびp型半導体層から構成される積層部が形成されている半導体発光素子であって、少なくとも上記透光性基板の裏面または各側面には、上記発光層から発せられて透光性基板を透過してくる光を反射させるための光反射膜が形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-039578
特開昭50-153591
特公昭51-018788

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