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J-GLOBAL ID：200903033034722049

発光素子

Inventor： 小出 典克 ,  柴田 直樹 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一 ,  佐々 道成 ,  小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190069
Publication number (International publication number)：1996032116
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】窒化ガリウム系半導体発光素子において、発光素子の発光取り出し効率を向上させること。【構成】窒化ガリウム系発光素子100 で光の透過効率を最もよくする反射防止層(もしくは光を反射する反射層)を設けるために、また光を放射する側へ放射された光が反射で減衰することが反射防止層10で抑制されて(もしくは光取り出し側の反対側に放射される光が反射層で目的方向に放射され)、従来よりも発光素子の光が余分な方向に出なくなり、出力が無駄にならず、発光の効率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅の層で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光素子において、該発光素子が積層構造であり、該積層構造に垂直な方向に光を取り出す構成であって、該積層構造に、発光層からの光を反射する反射層もしくは反射防止層のいずれかを有することを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開平2-288371
  
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222627   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135220   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-313977   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-098621   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平2-288371
  
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-155048   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201305   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開平2-288371
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314209   Applicant：日本ビクター株式会社