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J-GLOBAL ID：200903011793123326

張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  田中 恵一 ,  大井 浩之 ,  原田 均 ,  菅原 誠 ,  岡田 千鶴子
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069076
Publication number (International publication number)：1995249599
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ研磨表面全面の表面粗さの測定を迅速に行うこと、全面の表面粗さを測定し、張り合わせ不良の発生をなくすことを、目的としている。【構成】 張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面にレーザ光を照射してその散乱光量/入射光量の測定を行う。例えばパーティクルカウンタのヘイズレベルが80ppm以下のとき、その半導体ウェーハを用いて張り合わせを行う。接合熱処理を施し、接合面を測定すると、ボイドの発生はなく、良好な張り合わせを行うことができる。この場合、研磨粗さの全面測定は6インチウェーハで1分程度で行える。

Claim (excerpt)：

張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面にレーザ光を照射してその散乱光量/入射光量の測定を行い、その測定値に基づいて、その半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理を行うことを特徴とする張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  G01B 11/30 102 ,  H01L 21/66 ,  H01S 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ウエハ異物検査装置及び検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093753   Applicant：三菱電機株式会社