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J-GLOBAL ID：200903011799036247

置換エチレン前駆体および合成方法

Inventor：
ウェイ-ウェイ ザン

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ツェ ニュエン

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ローレンス ジェイ. チェルネスキ

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デビッド アール. エバンス

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シェン テン スー

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Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

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Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999218003
Publication number (International publication number)：2000143669
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： May. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 液相安定性を改善し、高い堆積速度、低い抵抗率の、および選択された集積回路表面への良好な接着性で、銅を堆積させることが可能な置換エチレンリガンドを有する前駆体および合成方法を提供する。【解決手段】 選択された表面に金属を化学蒸着(CVD)により堆積させるための揮発性金属(M)前駆体化合物であって、前駆体化合物は、M+1(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)と、第1結合および第2結合を含む第1の炭素原子を有する置換エチレンリガンドであって、第1結合は、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1〜C8アルコキシルからなる群から選択され、第2結合は、H、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1からC8アルコキシルからなる群から選択され、第2の炭素原子は、第3結合および第4結合を有し、第3結合および第4結合は、H、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1〜C8アルコキシルからなる群から選択され、これによって高い金属堆積速度を可能にする安定した前駆体が形成される、置換エチレンリガンドとを有する金属前駆体化合物。
Claim (excerpt)：
選択された表面に金属を化学蒸着(CVD)により堆積させるための揮発性金属(M)前駆体化合物であって、該前駆体化合物は、M+1(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)と、第1結合および第2結合を含む第1の炭素原子を有する置換エチレンリガンドであって、該第1結合は、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1〜C8アルコキシルからなる群から選択され、該第2結合は、H、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1からC8アルコキシルからなる群から選択され、第2の炭素原子は、第3結合および第4結合を有し、該第3結合および該第4結合は、H、C1〜C8アルキル、C1〜C8ハロアルキル、およびC1〜C8アルコキシルからなる群から選択され、これによって高い金属堆積速度を可能にする安定した前駆体が形成される、置換エチレンリガンドと、を有する金属前駆体化合物。
IPC (5)：
C07F 1/08 ,  C07F 1/10 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285
FI (5)：
C07F 1/08 A ,  C07F 1/10 ,  C07F 15/00 E ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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