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J-GLOBAL ID:200903011807987973
LC複合素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
布施 行夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994046429
Publication number (International publication number):1995235641
Application date: Feb. 21, 1994
Publication date: Sep. 05, 1995
Summary:
【要約】【目的】 小型化が可能であり、しかもLSI等の一部として形成することができ、製造が容易なLC複合素子を提供すること。【構成】 LC複合素子100は、n-Si基板10表面に形成された渦巻き形状のインダクタ導体18と、このインダクタ導体18の一部に沿うように形成された2つのpn接合層と、これら各pn接合層のn領域14,16表面に形成されたキャパシタ用電極24,26とを含んで構成される。インダクタ導体18の一部がpn接合層を形成する一方のp領域12の電極としても使用されており、この電極部分において分布定数的にpn接合層が形成されている。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成されたインダクタ導体と、前記インダクタ導体の一部に沿った位置に形成されており、前記インダクタ導体の一部がp領域あるいはn領域のいずれか一方に接続されているpn接合層と、前記pn接合層を形成するp領域あるいはn領域のいずれか他方に接続されたキャパシタ用電極と、を備え、前記半導体基板上にインダクタと前記pn接合層によって構成されるキャパシタとを重ねて形成することを特徴とするLC複合素子。
IPC (4):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01F 27/00
, H03H 7/075
FI (2):
H01L 27/04 L
, H01F 15/00 D
Patent cited by the Patent:
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