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J-GLOBAL ID：200903011829836065

III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ

Inventor：
三木 久幸

About 三木 久幸

, 
塙 健三

About 塙 健三

, 
佐々木 保正

About 佐々木 保正


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (7)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006291082
Publication number (International publication number)：2008106316
Application date： Oct. 26, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Summary：
【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。【解決手段】基板11上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含むIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法であって、 前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタすることを特徴とするIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (7)：
C23C 14/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/38
FI (7)：
C23C14/06 A ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/06 ,  C23C14/34 N ,  C23C14/38
F-Term (49)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA12 ,  4G077DB18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF02 ,  4G077EF04 ,  4G077EH10 ,  4G077HA02 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC28 ,  4K029DC31 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029FA07 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP30 ,  5F173AP33 ,  5F173AR81
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特許第3026087号公報
  • 特開平4-297023号公報
  • 特公平5-86646号公報
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Cited by examiner (2)

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