Pat

J-GLOBAL ID：200903092872150665

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  浅見 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000121692
Publication number (International publication number)：2001308010
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。【解決手段】 サファイア基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層として、AlGaNまたはAlN層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする。第1のIII族窒化物系化合物半導体層の上に、第2のIII族窒化物系化合物半導体層をMOCVD法により形成する。

Claim (excerpt)：

基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/203 S ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (28)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA29 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB16 ,  5F103BB27 ,  5F103BB33 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103PP15 ,  5F103RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• マグネトロンスパッタ成膜における成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-256442   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭60-173829
  
• III族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-266499   Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (1)

• マグネトロンスパッタ成膜における成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-256442   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy

Cited by examiner (1)

• Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy