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J-GLOBAL ID:200903011875841855
SAWデバイスおよびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996083683
Publication number (International publication number):1997275323
Application date: Apr. 05, 1996
Publication date: Oct. 21, 1997
Summary:
【要約】【課題】 環境雰囲気あるいはパッケージ時に落下する金属屑によるショート不良を防止する保護膜を有するSAWフィルタを提供することを目的とする。【解決手段】 インターデジタルトランスデューサ電極2が形成された圧電体基板1上にシリコンカーバイドまたはシリコン膜を上層とし、酸化珪素膜または酸化炭化珪素膜を下層とした2層構成よりなる保護膜22を形成した。
Claim (excerpt):
圧電基板と、この圧電基板の表面上に設けた櫛形形状の電極層よりなるトランスデューサ部と、少なくともこのトランスデューサ部上に形成した保護膜を含み、この保護膜は上層がシリコンカーバイド膜で、下層が酸化珪素または酸化炭化珪素膜よりなる2層構成であるSAWデバイス。
IPC (3):
H03H 3/08
, H03H 9/145
, H03H 9/25
FI (4):
H03H 3/08
, H03H 9/145 D
, H03H 9/145 C
, H03H 9/25 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開昭60-244108
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圧電素子および電子回路の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-109631
Applicant:松下電器産業株式会社
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