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J-GLOBAL ID：200903011930780062

薄膜光電変換装置

Inventor：
中島 昭彦

About 中島 昭彦

, 
中田 年信

About 中田 年信


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999170964
Publication number (International publication number)：2001007361
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ガラス面入射タイプの薄膜光電変換装置において光吸収効率を改善するために最適化された表面テクスチャ構造を備えた薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 薄膜光電変換装置は、ガラス基板(1)と透明導電性酸化物層(2)と光電変換ユニット(3)と電極層としてバッファ層(4)と金属層(5)とを備える。光電変換ユニット(3)は、透明導電性酸化物層(2)の上に形成されたp型シリコン層(3p)と、p型シリコン層(3p)の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるi型光電変換層(3i)と、光電変換層(3i)の上に形成されたn型シリコン層(3n)とを含む。透明導電性酸化物層(2)とp型シリコン層(3p)との界面は、0.1μm以上、0.5μm以下の範囲内の高低差を有する凹凸面を含む。
Claim (excerpt)：
第1と第2の主表面を有するガラス基板と、前記ガラス基板の第1の主表面の上に形成された透明導電性酸化物層と、前記透明導電性酸化物層の上に形成された光電変換ユニットと、前記光電変換ユニットの上に形成された電極層とを備え、前記光電変換ユニットは、前記透明導電性酸化物層の上に形成されたp型シリコン層と、前記p型シリコン層の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるi型の光電変換層と、前記光電変換層の上に形成されたn型シリコン層とを含み、前記ガラス基板の第2の主表面から光が入射されるタイプの薄膜光電変換装置において、前記透明導電性酸化物層と前記p型シリコン層との界面は、0.1μm以上、0.5μm以下の範囲内の高低差を有する凹凸面を含む、薄膜光電変換装置。
FI (3)：
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y
F-Term (14)：
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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