薄膜光電変換装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242126
Publication number (International publication number)：1998117006
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】光吸収効率の改善された薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】薄膜光電変換装置は、多結晶光電変換層(4)とその1主面を覆う金属薄膜(3)とを含み、多結晶光電変換層(4)は0.5〜20μmの範囲内の平均厚さを有し、多結晶光電変換層(4)の両主面の少なくとも一方は表面テクスチャ構造を有し、そのテクスチャ構造は多結晶光電変換層(4)の厚さの1/2より小さくかつ実質的に0.05〜3μmの範囲内の高低差を有する微細な凹凸を含んでいる。

Claim (excerpt)：

第1と第2の主面を有しかつ実質的に多結晶の光電変換層と、前記第2の主面を覆う金属薄膜とを含み、前記多結晶光電変換層は実質的に多結晶シリコン薄膜からなりかつ0.5〜20μmの範囲内の平均厚さを有し、少なくとも前記第1の主面は表面テクスチャ構造を有し、そのテクスチャ構造は前記平均厚さの1/2より小さくかつ実質的に0.05〜3μmの範囲内の高低差を有する微細な凹凸を含むことを特徴とする薄膜光電変換装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

光電変換装置作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-179181 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
太陽電池基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264612 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-334069

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