誘電体薄膜素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川口義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994133156
Publication number (International publication number)：1995073732
Application date： Jun. 15, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】リーク電流や疲労特性などの電気特性に優れた誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子を提供する。【構成】誘電体薄膜5から構成される誘電体薄膜素子であって、誘電体薄膜5としてチタン酸ジルコン酸エルビウム鉛((Pb<SB>1-y</SB> Er<SB>y</SB> )(Zr<SB>x</SB> Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB> )(ここで、0<x<1、0<y<1)を用いる。

Claim (excerpt)：

誘電体薄膜(Pb(Zr,Ti)O3 )を具備する誘電体薄膜素子において、前記誘電体薄膜がエルビウムを含むことを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (13)：

H01B 3/00 , C01G 23/00 , C01G 25/00 , H01G 4/33 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02 , H01L 41/08

FI (5)：

H01G 4/06 102 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開昭64-054785
特開平4-184808
特開平4-269859

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