Pat
J-GLOBAL ID：200903011999386781

薄膜の形成方法、電子デバイスの形成方法

Inventor：
森井 克行

About 森井 克行


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002295159
Publication number (International publication number)：2003192499
Application date： Oct. 08, 2002
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】基板上の所定位置に配置された極少量の溶液を結晶化させることのできる方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面の薄膜形成領域を、薄膜形成材料との親和性が高い表面状態にする。そのために、前記薄膜形成領域に、薄膜形成材料を構成する分子と共通の原子団を有する自己組織化膜5を形成する。その後に、シリコン基板1の表面に対して、インクジェット法で溶液の吐出を行い、液滴を配置する。配置直後の液滴近傍での溶媒と同じ成分からなる気体の分圧を、溶媒が蒸発し易い高い分圧にして、前記溶液に結晶核を形成した後、前記分圧を結晶成長可能な低い分圧となるまで低下させる。
Claim (excerpt)：
薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、前記溶液の液滴を基板上に配置する工程を備えた薄膜の形成方法において、前記溶液は、吐出時に濃度が飽和濃度の1/10以上となる量の薄膜形成材料を含有し、前記基板上を薄膜形成材料との親和性を有する表面状態に処理した後に、前記溶液の吐出を行い、前記配置後の液滴近傍での前記溶媒と同じ成分からなる気体の分圧を、当該液滴をなす溶液が過飽和状態になる第1の分圧に制御することにより、前記液滴に結晶核を生成させ、前記結晶核の生成後に、この液滴近傍での前記気体の分圧を、前記結晶核が結晶成長可能となる第2の分圧に低下させることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (3)：
C30B 29/54 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (3)：
C30B 29/54 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (10)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G077AA03 ,  4G077BF10 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM