半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996127127
Publication number (International publication number)：1997312393
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の一部の窒素濃度を高めることにより、キャリアの移動度の低下をもたらすことなく信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜4aの両端部には窒素を含む窒素含有領域4dが設けられ、またゲート絶縁膜4aは、その膜厚さが均一に形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の主表面に所定の間隔を隔てて形成された前記第1導電型とは反対の導電型の第2導電型の1対の不純物領域と、前記1対の不純物領域の間に形成されるチャネル領域と、前記チャネル領域の上に前記チャネル領域を含むように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された第1電極と、を備え、前記絶縁膜はその膜厚さが均一であり、前記1対の不純物領域に接する両端部に窒素を含む窒素含有領域を有する、半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MOS型トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-194118 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305289 Applicant：三菱電機株式会社
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-176873 Applicant：三菱電機株式会社

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