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J-GLOBAL ID：200903012012107530

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 巌 庄一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137123
Publication number (International publication number)：1997321131
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 比較的少ない工程数で、トレンチをボイドの発生がなく完全に埋め込むことのできるトレンチ型素子分離構造とその形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板20上にシリコン酸化膜24、第1のシリコン窒化膜25を形成した後、これらをエッチングしてトレンチ21を形成する。次に、全面に第2のシリコン窒化膜22を形成した後、ポリシリコン膜の堆積、エッチバックを行うことにより、トレンチ21側面にポリシリコン膜26のサイドウォール27を形成する。そして、熱酸化を行うことによりポリシリコンのサイドウォール27をシリコン酸化膜に変化させると同時に、トレンチ21底面の露出したシリコン基板20もシリコン酸化膜に変化させ、これらシリコン酸化膜23aでトレンチ21内を埋め込む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にトレンチが形成され、該トレンチの内面のうち少なくともトレンチ側面の下部に耐酸化性を有する被覆絶縁膜が形成されるとともに、前記トレンチ側面の下部以外の部分が埋め込み絶縁膜で埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• トレンチ素子分離構造を備えた半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-323912   Applicant：三星電子株式会社
• 特開昭58-033851
  
• 素子分離用酸化阻止膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168949   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭57-155748