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J-GLOBAL ID：200903012022133350
波長可変半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011270
Publication number (International publication number)：1995221403
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ゲインの波長依存性が平坦となり、波長可変幅の広い波長可変半導体レーザを得る。【構成】 層厚の互いに異なる複数の種類のウエル層4,5,6を有し、各々、層厚の異なる複数のウエル層4,5,6を層厚の順に配置してなる,複数組の半導体積層構造を、周期的に配置してなる量子井戸構造を、その活性層に有する構造とした。
Claim (excerpt)：
複数の波長のレーザ光を発生可能な活性層を有する波長可変半導体レーザにおいて、層厚の互いに異なる複数の種類のウエル層を含む量子井戸構造の活性層を有し、かつ上記複数の種類のウエル層の配列順序を、該活性層における利得の波長依存性が低減されるような配列順序としたことを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2)：
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