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J-GLOBAL ID：200903012036777986

半導体装置

Inventor： 南方 尚
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003304736
Publication number (International publication number)：2005079163
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】有機化合物からなる半導体層を備えた半導体装置として、キャリア移動度の高い縦型半導体装置を得る。【解決手段】クオテリレン、ジベンゾコロネン、テトラベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、サーコビフェニル、イソビオラントレン、およびイソビオラントロンから選択された少なくとも1つからなる薄膜を半導体層として形成する。この薄膜を、分子面が基板面に対して90度未満の角度で配向された構造となるように形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ベンゼン環が面状に繋がっている平面構造の分子からなる縮合多環芳香族化合物、またはその誘導体からなる薄膜を半導体層として有し、 前記薄膜は、前記化合物の分子面が基板面に対して90度未満の角度で配向された構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L51/00 ,  H01L29/786

FI (3)：

H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A

F-Term (13)：

5F110AA01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028474   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

• 異方性導電性有機薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-233725   Applicant：旭化成工業株式会社