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J-GLOBAL ID：200903012046319242
磁気検出素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002250658
Publication number (International publication number)：2004095583
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：
【課題】ΔRの大きなスピンバルブ型の磁気検出素子を提供する。【解決手段】第1フリー磁性層53、第2フリー磁性層55、固定磁性層24、それぞれを形成する磁性材料のβの正負を規定して、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層26の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値をダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくさせることにより、磁気検出素子の抵抗変化ΔRを大きくすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第1フリー磁性層の上に第2フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第1フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第2フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第1フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第2フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第1フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第2フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とする磁気検出素子。
ただし、βは、ρ↓/ρ↑=(1+β)/(1-β) (-1≦β≦1)の関係式を満たす磁性材料に固有の値である(なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である)。
IPC (4)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
5D034BA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
