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J-GLOBAL ID：200903044371807244
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
Inventor：
,
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000182152
Publication number (International publication number)：2001237472
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗特性の改善を可能とする素子を提供する。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜とを備え、外部磁場に対して、第1の強磁性膜は第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である。
Claim (excerpt)：
第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、該第1の強磁性膜と該第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜と、を備え、外部磁場に対して、該第1の強磁性膜は該第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、該第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である、磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/16
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/16
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034CA08
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049BA06
, 5E049BA11
, 5E049CB02
, 5E049DB12
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