Pat

J-GLOBAL ID：200903012068377297

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  谷 俊彦 ,  神谷 信雄 ,  近藤 宏行
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338388
Publication number (International publication number)：2001158694
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶に存在しているマイクロパイプ欠陥を炭化珪素単結晶の内部で閉塞させる。【解決手段】 マイクロパイプ欠陥1aを含有する炭化珪素基板結晶1の表面に炭化珪素多結晶3を堆積させてマイクロパイプ欠陥1aを被覆したのち、炭化珪素多結晶3で被覆された炭化珪素基板結晶1に熱処理を施すことによってマイクロパイプ欠陥1aを炭化珪素基板結晶1内で閉塞させる。このように、炭化珪素基板結晶1の表面に炭化珪素多結晶3を堆積させることによって、マイクロパイプ欠陥1aが確実に被覆され、その後の熱処理によってマイクロパイプ欠陥1aが確実に炭化珪素基板結晶1内で閉塞されるようにできる。例えば、炭素、珪素、炭化珪素を含む粒子2と共に炭化珪素基板結晶1を熱処理することによって、炭化珪素多結晶3を堆積させることができる。

Claim (excerpt)：

マイクロパイプ欠陥(1a)を含有する炭化珪素基板結晶(1)の表面に炭化珪素多結晶(3)を堆積させて前記マイクロパイプ欠陥を被覆する工程と、前記炭化珪素多結晶で被覆された前記炭化珪素基板結晶に熱処理を施すことによって前記マイクロパイプ欠陥を前記炭化珪素基板結晶内で閉塞させる工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (4)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FE06 ,  4G077FE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 単結晶SiC
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-286276   Applicant：日本ピラー工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 単結晶SiC
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-286276   Applicant：日本ピラー工業株式会社