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J-GLOBAL ID：200903042042863742

単結晶SiC

Inventor： 山田 益三 ,  谷野 吉弥 ,  前田 利久
Applicant, Patent owner： 日本ピラー工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998286276
Publication number (International publication number)：2000109393
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 全体的に単位面積あふりのマイクロパイプ数が非常に少なく、かつ、マイクロパイプ近傍に存在する歪等も緩和して半導体デバイス作製用の基板ウエハとして有効に利用できる高品質な単結晶SiCを得る。【解決手段】 六方晶系(6H型)のα-SiC単結晶基体2の表面上に、該α-SiC単結晶基体2を種結晶としての熱処理により単結晶が一体に育成されてマイクロパイプ4Aの数がα-SiC単結晶基体2のマイクロパイプ4Bの数よりも少なく、かつ、厚さt3もα-SiC単結晶基体2の厚さt2よりも薄い育成SiC単結晶3を一体的に設けている。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶基体上に、このSiC単結晶基体よりも単位面積あたりのマイクロパイプ数の少ないSiC単結晶を設けたことを特徴とする単結晶SiC。

IPC (3)：

C30B 25/20 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/324

FI (3)：

C30B 25/20 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/324 X

F-Term (6)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-140680   Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー