Pat
J-GLOBAL ID：200903012136658518

多周波共用ダイポールアンテナ装置

Inventor：
芹澤 雅義

About 芹澤 雅義

, 
恵比根 佳雄

About 恵比根 佳雄


Applicant, Patent owner：
電気興業株式会社

About 電気興業株式会社

, 
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ

About 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ


Agent (1)： 奥山 尚男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083627
Publication number (International publication number)：2000278025
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 使用される周波数帯が増しても、小形で、かつ多数の周波数帯を共用でき、かつ単数または複数の特定周波数帯が広帯域化される。【解決手段】 誘電体基板11の両面に、第1の周波数f1に共振する第1のダイポール素子12a,12bを形成し、該第1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込み16により、第2の周波数f2(f2>f1)に共振する第2のダイポール素子13a,13bを形成し、以下同様に、第3、....、第nのダイポール素子を形成するとともに、前記第1、第2、第3、......、第nのダイポール素子のうち、前記周波数帯の単数または複数を広帯域化するため、該周波数に共振する前記ダイポール素子の上方、または左側、または右側、または左右側面に、該ダイポール素子に平行して無給電素子を配設する。
Claim (excerpt)：
複数n(nは、2より大きい正の整数)の周波数帯を共用するため、誘電体基板の両面に任意の幅を有する金属箔からなる第1の周波数f1に共振する第1のダイポール素子と、該第1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第2の周波数f2(f2>f1)に共振する第2のダイポール素子と、該第2のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第3の周波数f3(f3>f2)に共振する第3のダイポール素子と、以下同様に、第n-1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第nの周波数fn(fn>fn-1)に共振する第nのダイポール素子とを形成するとともに、前記第1、第2、第3、......、第nのダイポール素子は、それぞれの共通の中央給電点を介して、共通の給電線路に接続される多周波共用のダイポールアンテナ装置であって、前記第1、第2、第3、......、第nのダイポール素子のうち、前記周波数帯の単数または複数の周波数帯を広帯域化するため、該周波数に共振する前記ダイポール素子の上方、または左側、または右側、または左右側面に、該ダイポール素子に平行して、所定の周波数帯に適する長さを有する無給電素子が配設されることを特徴とする多周波共用ダイポールアンテナ装置。
IPC (3)：
H01Q 5/00 ,  H01Q 1/38 ,  H01Q 9/28
FI (3)：
H01Q 5/00 ,  H01Q 1/38 ,  H01Q 9/28
F-Term (7)：
5J046AA03 ,  5J046AA07 ,  5J046AB01 ,  5J046AB07 ,  5J046PA07 ,  5J046TA03 ,  5J046UA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM